Ram von 1GB auf xxx erweitern

[n1]

näääh... spiele nur cs 

Aber jetzt kommt mir nicht mit dem Argument, warum ich dann 2GB RAM möchte 

[n1]

Bei diesen Riegeln kann man bedenkenlos zugreifen, oder was meint ihr?

http://www.mindfactory.de/cgi-bin/MindStore.storefront/DE/Product/0020021?pid=geizhals

DFI Probleme mit G.Skill??? Ne oder???

Gruß Marc

[Izy]

Hi,

hab selber 2x256 G.skill 4800 LA er @ DC aufm gleichen Board und geht 1A.

Tschau

[n1]

Bin am überlegen, ob ich mir den holen, meine alten verkaufe und mich nach jemandem umschaue, der mir den Gutschein abkauft.... 

[Fox 1]

Ich würd behaupten da braucht man nich lange zu überlegen denn Billiger wird der Alte DDR speicher nimmer eher teurer

[n1]

Nabend

Habe mir eben 2x512 bestellt. Jetzt heißt es hoffen, dass es im DC und @ 400mhz läuft 

No risk no fun.

Also bis dann

Gruß Marc

[n1]

Tag!

Ram ist eben eingetroffen. Jetzt habe ich 4x512er Infineon.

Ist das auch der Beweis, dass es im DC läuft?



Gruß Marc

[Nuerne]

Geh davon aus 

[Overload]

Slot 1-3 laufen zusammen im Dualchannel und 2-4 auch.

[n1]

Alles klar 

Wunderbar 

[blade]

cheater

[n1]

Hmmm sehe grad, dass er mit 2T läuft 

Wo stelle ich das im Bios um, habe grad 10min vergeblich gesucht

Bin ich blöd, oder ist das einfach nur versteckt.... DFI nf4 Ultra-D


Gruß Marc


EDIT: Im Onlinehandbuch mal nachgeschaut:

Welches von denen ist es?

DRAM Frequency Set (Mhz)
This field is used to set a memory clock limit on the system. This will
prevent the memory speed from running faster than this frequency.

Command Per Clock (CPC)
This field is used to enable the DRAM commands and address that
will be driven for 2 clock cycles and select the second phase of the
2 clock command and address.

CAS Latency Control (Tcl)
This field is used to select the clock cycle of the CAS latency time.
The option selected specifies the timing delay before SDRAM starts
a read command after receiving it.

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
When DRAM refreshes, both rows and columns are addressed
separately. This field is used to select the delay time from RAS (Row
Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) when reading
and writing to the same bank. The lesser the clock cycle, the faster
the DRAM’s performance.

Min RAS# Active Time (Tras)
This field is used to select the minimum time RAS takes to read
from and write to a memory cell.

Row Precharge Time (Trp)
This field is used to select the number of cycles that is allowed for

Row Address Strobe (RAS) to precharge. If insufficient time is
allowed for the RAS to accumulate its charge before DRAM
refreshes, refreshing may be incomplete and DRAM may fail to retain
data.

Row Cycle Time (Trc)
This field is used to select the row cycle time, RAS# active or auto
refresh of the same bank.

Row Refresh Cyc Time (Trfc)
This field is used to select the row refresh cycle time. Auto refresh
active to RAS# active or RAS# to auto refresh - similar to Trc.

Row to Row Delay (Trrd)
This field is used to select the row to row delay time of different
banks.

Write Recovery Time (Twr)
This field is used to select the write recovery time when the DRAM
safely registers the last write data. This is the time from the last write
data to precharge.

Write to Read Delay (Twtr)
This field is used to select the write to read delay time. This is
measured from the rising edge of the last non-masked data strobe
to the rising edge of the next read command.

Read to Write Delay (Trwt)
This field is used to select the read to write delay time. Although this
is not a DRAM specified timing parameter, it is related to the routing
latencies on the clock forwarded bus. This is measured from the first
address bus slot which is not associated with part of the read burst.

Refresh Period (Tref)
This field is used to select the number of clock cycles between each
refresh.

Write CAS Latency (Twcl)
This field is used to select the write CAS latency time.

DRAM Drive Strength
This field is used to select a level of the DRAM drive strength.

Max Async Latency
This field is used to select the DRAM maximum asynchronous
latency time.

Read Preamble Time
This field is used to select the time prior to the max-read DOS
return when the DOS receiver is turned on.

Idle Cycle Limit
This field is used to select the cycle of MemCLKs before forcibly
closing (precharging) an open page.

Dynamic Counter
This field is used to enable the dynamic idle cycle counter.

R/W Queue Bypass
This field is used to select the number of times the first operation in
the DCI read/write queue can be bypassed before the arbiter is
overridden and the first operation is chosen.

Bypass Max
This field is used to select the number of times the first entry in
DCQ can be bypassed in arbitration before the arbiter choice is
disallowed.

32 Byte Granularity
This field is used to determine whether the burst counter should be
enabled to optimize data bus bandwidth for 32-byte access.

Quelle. dfi.com.tw

[Fox 1]

Informationsliste   Wert
Speicher Timings   2.5-3-3-5  (CL-RCD-RP-RAS)
Informationsliste   Wert
Command Rate (CR)   2T
Diese werte sind bei mir Eingetragen
Die meisten Speicher laufen mit diesen werten im DC modus
Bei mir kommt es wenn ich die CR auf 1T stelle zu fehlern.

Command Per Clock (CPC)
Dort sollteste du zwei werte einstellen können,
einmal 2T oder 1T oder eben auto.

[n1]

Alles klar, werde es einmal probieren, danke!

[n1]

Kann ich im Bios irgendwie den Dual Channel auf Single Channel umstellen, denn ich bekomme 1T mit den Rams nicht zu laufen.

Möchte ausprobieren, was mehr bringt: 1T oder Dual Chan, denn eins geht nur 


Habe mal ein wenig getestet.

Sehr interessant:
http://www.mitglied.lycos.de/mqrc/ramtest.JPG