4 GByte DDR3 Hynix Speichermodule von Intel validiert

Nach den Speicherherstellern Samsung und Elpida, nimmt nun der dritte DRAM-Speicherhersteller Hynix ebenfalls die Serienproduktion von 40nm Speicherbausteinen auf.

Nun kann nach erfolgreicher Validierung durch Intel auch der DRAM-Hersteller Hynix die Produktion von 40nm Speicherbausteinen aufnehmen. Sind derzeit 4 GByte Speichermodule noch sehr schwer zu beschaffen und vor allem sehr Teuer, kann sich das schon 2010 ändern, wie unsere Kollegen von Golem nach eigener Aussage von dem taiwanischem Hersteller Hynix erfahren hat. Laut deren Aussage wurde bereits mit der Serienproduktion von 40nm Speicherbausteinen begonnen. Für welche Chipsätze Hynix die hauseigenen 40nm Speicherbausteine validieren gelassen hat, hat das Unternehmen nicht angegeben. Jedoch sind die aktuellen Highend X58, Mainstream P55 und der kommende H57 Chipsatz aber durchaus denkbar.

Warum die bisherigen 4 GByte Speichermodule so teuer sind, liegt zum einen daran, dass die heutigen 4 GByte Module häufig aus der doppelten Anzahl von Speicherbausteinen (4 GByte = 32 x 1GBit Speicherbausteine) bestehen und dadurch komplexere Platinen erfordern, die zudem noch deutlich teurer in der Herstellung sind.

Eventuelle Preise für die kommenden 4 GByte Module wurden leider nicht genannt.

Für Fragen, Hinweise und Meinungen bitte die Kommentarfunktion etwas weiter unten nutzen oder direkt im Forum posten.