Um dieses ehrgeizige Ziel zu erreichen wird Microns DRAM im 32-nm-Verfahren hergestellt und mit einer Steuerelektronik des IT-Giganten IBM kombiniert. Die neue Technologie soll die "Memory Wall" ad Acta legen und damit eine Ausbremsung des Prozessors durch langsamen Arbeitsspeicher verhindern. Genauer gesagt werden 3D-Transistoren genutzt um vertikale Schaltkreise durch aufeinander gesetzte Chips zu ermöglichen. Infolgedessen sinkt der Stromverbrauch um zirka 70 Prozent und die benötigte Größe der Chips verringert sich auf ein Zehntel gegenüber konventionellem Speicher. Die neuen Speicherchips sollen Geschwindigkeiten von bis zu 128 GB/s erreichen können und hängen damit aktuelle Speicherchips, die 12,8 GB/s erreichen können, deutlich ab.
Mit einer Auslieferung soll in der zweiten Jahreshälfte 2012 begonnen werden.