Globalfoundries gab die Aufnahme von strategischen Kundenbeziehungen zu STMicroeletronics, einem führenden Anbieter von Halbleiterprodukten, bekannt. STMicroeletronics wird gemeinsam mit Globalfoundries Produkte in 40nm Low Power (LP) Bulktechnologie herstellen.
Der 40nm Low Power Prozess eignet sich für die nächste Generation von drahtlosen Applikationen, Handhelds und Unterhaltungselektronik, die Leistungsfähigkeit und lange Batterielaufzeit erfordern. Ab 2010 sollen erste Produkte von STMicroeletronics bei Globalfoundries gefertigt werden.
Globalfoundries hat seine Fertigung derzeit an seinem 300mm Standort Fab 1 in Dresden konzentriert. Fab 1 hat lau Pressemitteilung eine nachweisliche Erfolgsbilanz in der schnellen Einführung von führenden Technologien in große Volumina bei hoher Ausbeute, wie erst kürzlich durch das nahtlose Hochfahren der 45nm Technologie belegt wurde.
Am 24. Juli 2009 hat Globalfoundries zudem den ersten Spatenstich für Fab 2 bei Malta im US-Bundesstaat New York vollzogen. Nach ihrer Fertigstellung wird Fab 2, in die 4,2 Milliarden US-Dollar investiert werden, eines der modernsten Halbleiterwerk der Welt sein.
Für Fragen, Hinweise, Meinungen oder sogar eigene Erfahrungen zum Produkt bitte die Kommentarfunktion etwas weiter unten nutzen, oder direkt im Forum posten.
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Der 40nm Low Power Prozess eignet sich für die nächste Generation von drahtlosen Applikationen, Handhelds und Unterhaltungselektronik, die Leistungsfähigkeit und lange Batterielaufzeit erfordern. Ab 2010 sollen erste Produkte von STMicroeletronics bei Globalfoundries gefertigt werden.
Globalfoundries hat seine Fertigung derzeit an seinem 300mm Standort Fab 1 in Dresden konzentriert. Fab 1 hat lau Pressemitteilung eine nachweisliche Erfolgsbilanz in der schnellen Einführung von führenden Technologien in große Volumina bei hoher Ausbeute, wie erst kürzlich durch das nahtlose Hochfahren der 45nm Technologie belegt wurde.
Am 24. Juli 2009 hat Globalfoundries zudem den ersten Spatenstich für Fab 2 bei Malta im US-Bundesstaat New York vollzogen. Nach ihrer Fertigstellung wird Fab 2, in die 4,2 Milliarden US-Dollar investiert werden, eines der modernsten Halbleiterwerk der Welt sein.
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